科技成果转移转化公示【2021】17号

根据《促进高校、院所科技成果转化暂行办法》的相关要求，对协议定价的科技成果转让、许可须进行公示，公示期15天，现对我校拟转移转化的两项科技成果有关事项公示如下：

一、转让成果类型：发明专利

成果名称：荧光共振能量转移光阳极及其制备方法

专利号：ZL201710569389.5

发明人：梁桂杰、李望南、陈美华、汪竞阳、钟志成、程晓红、王松

成果简介：一种荧光共振能量转移光阳极及其制备方法，属于光阳极技术领域。光阳极含导电基片、吸附于该基片的n型半导体膜及吸附于该半导体膜的光电传输层，光电传输层含连接于该半导体膜的方酸染料、连接于方酸染料的卤代硫醇及连接于卤代硫醇的Ⅰ型核壳结构量子点，该量子点的壳层导带位置高于方酸染料的LUMO能级。光谱响应范围宽、吸光效率高、荧光共振能量转移效率及光电转化效率高。方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于方酸染料醇溶液中敏化、于卤代硫代乙酸酯的甲苯溶液中回流卤代后水解，得连接有功能桥链分子的半导体光阳极；将含ZnS壳层的Ⅰ型核壳结构量子点分散于甲苯浸泡该半导体光阳极2~12h。操作简单、可控性好、成本低。

受让方：襄阳华智科技有限公司

转让金额：伍仟元整

定价方式：协议定价

二、转让成果类型：发明专利

成果名称：基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法

专利号：ZL201810601667.5

发明人：梁桂杰、陈美华、汪竞阳、李望南、王松、程晓红、吴凯丰

成果简介：基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法，属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层，n型半导体膜的导带能级位于CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广，制得的光阳极光电转化效率高。

受让方：襄阳华智科技有限公司

转让金额：伍仟元整

定价方式：协议定价

公示时间：2021年10月6日--2021年10月20日

公示期间，如对上述成果转移转化有异议，请以书面形式向科技处等有关部门反映。

联系人： 项卫平

联系电话：0710-3590355

湖北文理学院科学技术处

 2021年10月6日